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| Luogo di origine | Chiamata |
| Marca | onsemi |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | NDT3055L |
| Attributo | Valore dell'attributo |
|---|---|
| Produttore | onsemi |
| categoria di prodotto | FET - Singolo |
| Serie | - |
| Confezione | Imballaggio alternativo |
| Part-alias | NDT3055_NL |
| Unità di peso | 0,006632 once |
| Stile di montaggio | SMD/SMT |
| Pacchetto-Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Tecnologia | Sì |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero di canali | 1 canale |
| Fornitore-Dispositivo-Pacchetto | SOT-223-4 |
| Configurazione | Separare |
| Tipo FET | MOSFET a canale N, ossido di metallo |
| Potenza-Max | 1,1 W |
| Tipo a transistor | 1 canale N |
| VDSS – Tensione Drain-Source | 60 V |
| Capacità di ingresso | 250pF @ 30V |
| Funzionalità FET | Standard |
| Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C | 4A (Ta) |
| Rds-On-Max-Id-Vgs | 100 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs-th-Max-Id | 4V @ 250μA |
| Porta-Carica-Qg-Vgs | 15nC @ 10V |
| Pd-Power-Dissipazione | 3 W |
| Temperatura operativa massima | + 150 C |
| Intervallo operativo di temperatura | - 65 C |
| Tempo di caduta | 30 n |
| Ora di alzarsi | 18 n |
| Vgs-Gate-Source-Tensione | 20 V |
| ID (corrente di scarico) | 4 A |
| Vds-Drain-Source-Rottura-Tensione | 60 V |
| Rds-On-Drain-Source-Resistenza | 100 mOhm |
| Transistor-Polarità | Canale N |
| Tipico tempo di ritardo allo spegnimento | 37 n |
| Tempo di ritardo all'accensione | 10 n |
| Transconduttanza | 6 S |
| Modalità canale | Aumento |
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